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MBE-300 分子束外延系統

MBE 300 主要采用氬弧焊加工的圓柱形316不銹鋼腔體,腔體頂部法蘭尺寸為CF250,最多可安裝9個束源爐,能根據用戶需求安裝多坩堝的磁偏轉電子束,適用于小尺寸(匹配旗形樣品托)樣品生長。

產品特點
● 一套成熟、穩定、性價比高的系統● 模塊化設計,爐源、泵組、其他部件靈活搭配,適合不同需求● 既能作為獨立的系統,也可與其他超高真空系統互聯



                                                                                                                                                                                                                                               
產品參數
MBE 300模塊描述配置參數
生長室
腔體
腔體材料SS316
腔體尺寸200mm I.D
烘烤溫度Max.200℃
本底真空< 5×10-10 mbar
抽氣系統450L/s分子泵+10m3/h機械泵
真空測量系統離子規+Pirani規
液氮冷屏選配
離子泵選配
樣品架樣品尺寸Flag-type樣品托
襯底加熱方式輻射加熱
襯底加熱器溫度室溫-1200K
電子束加熱選配
直流加熱
選配
液氮制冷模塊選配
部件蒸發源配置4xDN40CF, 4xDN63CF, 1xDN100CF
獨立的蒸發源擋板氣動驅動
QCM標配
RHEED15KeV-30KeV
Ion Source選配
RGA選配

快速進樣室
腔體腔體材料SS316
烘烤溫度Max.200℃
本底真空<5×10-8 mbar
抽氣系統80L/s分子泵+10m3/h機械泵
真空測量系統全量程規
部件樣品停放臺6或12工位
系統集成及控制GUIDE軟件標配
烘烤系統標配
系統支架標配
真空照明系統選配
等離子清洗選配
CCD相機選配



標簽: 超高真空MBE
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