薄膜制備

物理外延是一項用于制備材料薄膜的高級技術(shù)，通過在真空或低壓環(huán)境中加熱固態(tài)材料，將其直接轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀啵缓蟪练e到襯底表面，形成外延薄膜。這一領(lǐng)域涵蓋了多種技術(shù)，包括分子束外延(Molecular beam epitaxy)、磁控濺射(Magnetron Sputtering)以及基于分子束外延的解理鍍膜等。

物理外延技術(shù)適用于外延生長化合物半導(dǎo)體薄膜、合金薄膜、氧化物薄膜和鈍化層等，在半導(dǎo)體器件制造、光電子學(xué)和激光器等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

費勉儀器以底層物理原理仿真模擬為核心技術(shù)，包括直接蒙特卡洛的源爐束流仿真和基于全物理量的襯底加熱器和源爐熱場仿真。

基于這一仿真模擬技術(shù)，我們成功自主開發(fā)了適用于產(chǎn)線的分子束外延、磁控濺射和解理鍍膜設(shè)備。我們的獨創(chuàng)性大容量源爐、大尺寸襯底加熱器、閥式裂解源、高通量射頻等離子源、全自動傳樣機械臂等核心部件，具有領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢，并已獲得多項發(fā)明專利。

此外，我們正在致力于研發(fā)最新的外延襯底技術(shù)，包括基于原子置換技術(shù)的硅基碳化硅復(fù)合襯底，以及適用于碳化硅、金剛石等襯底的等離子襯底拋光技術(shù)。硅基碳化硅復(fù)合襯底已完成樣機搭建調(diào)試和小批量3inch襯底生產(chǎn)，為氮化鎵、氧化鎵等寬禁帶器件提供了高質(zhì)量、低價格的外延襯底備選方案，并解決了碳化硅襯底和CMOS工藝不兼容的問題，適用于硅光等新器件。

分子束外延

在分子束外延方面，我們已具備全系列分子束外延整機和核心部件的供貨能力。目前已實現(xiàn)單片3inch、單片4inch、單片8inch和多片3、4inch的分子束外延整機銷售，并通過外延工藝驗證，應(yīng)用于GaAs、InP基等傳統(tǒng)材料外延，以及GaN、Ga2O3等新材料外延。我們還提供爐源、裂解源、襯底加熱器等核心部件，兼容用戶現(xiàn)有系統(tǒng)，并為量子器件等新材料、器件提供定制系統(tǒng)開發(fā)。

鈍化設(shè)備

基于分子束外延技術(shù)開發(fā)的化合物界面處理和鈍化設(shè)備，可實現(xiàn)激光巴條的腔面處理和鈍化，突破了國內(nèi)卡脖子瓶頸。自2020年立項開發(fā)以來，已累計銷售整機設(shè)備超過10臺，推動國產(chǎn)激光巴條芯片實現(xiàn)量產(chǎn)。在設(shè)備開發(fā)過程中，我們不僅攻克了真空解理的技術(shù)難題，并且基于等離子技術(shù)，推出自主研發(fā)高通量H原子源，為用戶提供更高效的腔面處理手段，該技術(shù)不僅可用于激光巴條的腔面清潔，并可用于Micro-LED等其他微結(jié)構(gòu)中的關(guān)鍵界面處理，在化合物半導(dǎo)體器件工藝中有廣泛的應(yīng)用前景。

磁控濺射

PV-200C 全自動磁控生產(chǎn)線為多腔材料生長提供解決方案。其典型應(yīng)用包括磁隧道結(jié)和自旋邏輯器件(GMR、TMR、MRAM)、微機電系統(tǒng)(MEMS)、有機發(fā)光器件 (OLED)、太陽能電池(PV、OPV)。

PV-200C 可實現(xiàn)多腔互聯(lián)，襯底無需暴露在大氣中，在真空中即可完成工藝流程。

PV-200C 擁有自動按順序一次處理一個襯底或并行處理襯底以提高生產(chǎn)效率的能力。可實現(xiàn)襯底跟蹤，全過程數(shù)據(jù)記錄。

Fermi 磁控軟件有良好的人機交互界面，用戶可以自定義工藝配方，各類傳感器及真空互鎖，保證設(shè)備高效安全運行。

在過去十多年發(fā)展中，我們已積累了豐富的全流程生產(chǎn)管理經(jīng)驗，并擁有專業(yè)的售后服務(wù)團隊，贏得了國內(nèi)外眾多客戶的高度認可和堅定信賴。近年來，公司成功吸引了多輪融資，擁有穩(wěn)健的財務(wù)實力，為公司的項目開發(fā)和長期運營提供全面的支持和保障。

未來，費勉儀器將繼續(xù)秉承以客戶為本、以質(zhì)量為先的服務(wù)準(zhǔn)則，為客戶提供卓越的設(shè)備與產(chǎn)品，創(chuàng)造更多價值!