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Cubic-200 分子束外延系統

Cubic 200 采用一體成型的方形316不銹鋼腔體,最多可安裝3個束源爐。

四軸樣品操縱臺可水平或豎直安裝,適用于小尺寸(匹配旗形樣品托)樣品生長。

系統預留多種法蘭口,非常適合科研用戶工藝摸索和研究。

技術規格
● 一套小型、緊湊、性價比高的系統● 不銹鋼腔體一體加工成型、無焊縫結構、可更容易實現超高真空環境● 可用于通識教育的科研設備、簡單直觀了解分子束外延技術


產品尺寸
HMF-MBE 200
模塊描述配置參數
生長室

腔體腔體材料SS316
腔體尺寸200mm I.D
烘烤溫度Max.200℃
本底真空< 5×10-10 mbar
抽氣系統300L/s分子泵+10m3/h機械泵
真空測量系統離子規+Pirani規
離子泵選配
樣品架樣品尺寸Flag-type 樣品托
襯底加熱方式輻射加熱
襯底加熱器溫度1200K
電子束加熱選配
直流加熱選配
液氮制冷模塊選配
部件蒸發源配置3xDN40CF
獨立的蒸發源擋板氣動驅動
QCM標配
Ion Source選配
RGA選配
快速進樣室
腔體腔體材料SS316
烘烤溫度Max.200℃
本底真空<5×10-8 mbar
抽氣系統80L/s分子泵+10m3/h機械泵 
真空測量系統全量程規
部件樣品停放臺6或12工位
系統集成及控制GUIDE軟件標配
烘烤系統標配
系統支架標配
真空照明系統選配
等離子清洗選配
CCD相機選配



標簽: 超高真空MBE
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