MBE-400 主要采用氬弧焊加工的圓柱形316不銹鋼腔體，腔體頂部法蘭尺寸為DN350CF，最多能安裝10個蒸發(fā)源。預留多種法蘭口，安裝法蘭兼容RGA、RHEED、BFM等多種原位測量，束流擋板瞬時可控，實現(xiàn)2inch高質量薄膜生長。
| ● 蒸發(fā)源差分設計，允許在高氧或臭氧分壓下沉積氧化物材料 | ● 無需破壞生長腔真空，實現(xiàn)蒸發(fā)源的填料和替換 | ● 可選用高純臭氧發(fā)生系統(tǒng)或者射頻等離子源作為氧源 |
| MBE 400 | 模塊描述 | 配置參數(shù) | |
| 生長室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
| 腔體尺寸 | 300mm I.D | ||
| 烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | < 5×10-10 mbar | ||
| 抽氣系統(tǒng) | 700L/s分子泵+10m3/h機械泵 | ||
| 真空測量系統(tǒng) | 離子規(guī)+Pirani規(guī) | ||
| 液氮冷屏 | 選配 | ||
| 離子泵 | 選配 | ||
| 低溫泵 | 選配 | ||
| 樣品架 | 樣品最大尺寸 | 2 inch | |
| 襯底加熱方式 | 輻射加熱 | ||
| 襯底加熱器溫度 | 室溫-1200K | ||
| 電子束加熱 | 選配 | ||
| 襯底加熱方式 | 選配 | ||
| 液氮制冷模塊 | 選配 | ||
| 部件 | 蒸發(fā)源配置 | 6xDN40CF, 2xDN63CF | |
| 獨立的蒸發(fā)源擋板 | 氣動驅動 | ||
| QCM | 標配 | ||
| RHEED | 15KeV-30KeV | ||
| Ion Source | 選配 | ||
| RGA | 選配 | ||
快速進樣室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
| 烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | <5×10-8 mbar | ||
| 抽氣系統(tǒng) | 80L/s分子泵+10m3/h機械泵 | ||
| 真空測量系統(tǒng) | 全量程規(guī) | ||
| 部件 | 樣品停放臺 | 3工位 | |
| 系統(tǒng)集成及控制 | GUIDE軟件 | 標配 | |
| 烘烤系統(tǒng) | 標配 | ||
| 系統(tǒng)支架 | 標配 | ||
| 真空照明系統(tǒng) | 選配 | ||
| 等離子清洗 | 選配 | ||
| CCD相機 | 選配 | ||
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